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新闻 85 / 100 08-14 10:45

铠侠与闪迪发布第九代 2Tb QLC 3D 闪存,接口速度 4.8Gb/s 提升 33%

面向 AI 基础设施与数据密集型场景,采用 CBA 架构与 6 平面设计,NAND 接口速度较上代提升 33%。

铠侠与闪迪今日共同宣布推出第九代高性能 2Tb QLC 3D 闪存,面向 AI 基础设施及数据密集型应用场景,以应对 AI 工作负载带来的存储需求增长。

技术与性能提升

  • 采用 CMOS 直接键合阵列(CBA)架构,结合先进 CMOS 晶圆与成熟存储单元阵列平台
  • 引入 6 平面架构及多项性能增强设计,提升写入与读取带宽
  • 改善读写功耗效率
  • NAND 接口速度达 4.8Gb/s,较第八代 2Tb QLC 产品提升 33%

铠侠 CTO 宫岛英史表示,随着 AI 应用从生成式 AI 向智能体和物理 AI 扩展,数据利用日趋多样化和复杂化,公司正通过成熟的存储单元技术与最新 CMOS 技术相结合,加速第九代闪存开发,在保持较高投资效率的同时实现高性能。

闪迪 CTO Alper Ilkbahar 表示,AI 的快速普及正在加速存储接口迭代,市场对能更快进化的存储技术需求日益增长,第九代 QLC 技术展示了 CBA 架构在分别推进 CMOS 和存储技术创新方面的灵活性。

本次发布与第十代 332 层 QLC NAND(接口速率同样 4.8Gb/s)形成并存产品线;AI 驱动下存储接口迭代明显加快,QLC 在大容量与性能平衡上继续推进。

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